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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂,不如加入自己的理解,重新梳理一...
2023-04-24
SiC MOSFET 短溝道效應
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成,但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而,使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史,并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設計。
2023-04-24
超共源共柵 SiC FET Qorvo
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Auto Accessories以及BMS的保護設計
隨著汽車功能的豐富,USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應用。由于以下幾點,ESD、突入電流、拋負載以及負載短路等成為了硬件設計人員關注要點。例如,干燥季節(jié),靜電通過這些接口破壞IC或設備中的任何其他ESD敏感器件;設備電源的開關,汽車啟停以及人員的誤操作等產(chǎn)生的突入電流對電...
2023-04-24
Auto Accessories BMS 保護設計
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5月兩場汽車電子高峰論壇來襲 賦能汽車電子“芯”力量
汽車作為當下最火熱的賽道,早已從初始的代步工具逐步蛻變,電子化在汽車發(fā)展史上發(fā)揮著至關重要的作用,2022年我國汽車電子市場規(guī)模達到9,783億元(汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù))。汽車工業(yè)是國家制造業(yè)的標桿,隨著汽車向電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化推進,以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等為首的新一代信息技術(shù)深刻...
2023-04-23
汽車電子 芯片
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還在為用氮化鎵設計高壓電源犯難?試試這兩個器件
面對社會和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎設施的應用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設計成功的關鍵。
2023-04-23
氮化鎵 高壓電源 Nexperia
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧,功能強大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時,可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。
2023-04-23
OBC充電器 SiC FET
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“可靠、創(chuàng)新、服務”,12年開拓進取 江波龍旗下品牌FORESEE迎來質(zhì)變
江波龍一直是中國半導體存儲行業(yè)的傳奇。江波龍的發(fā)展歷程,一直是業(yè)內(nèi)人士關注的焦點。在2023中國市場閃存峰會(CFMS)上,江波龍SDG事業(yè)部、移動存儲事業(yè)部總經(jīng)理王友楠接受了維科網(wǎng)的采訪,詳述了公司的理念和規(guī)劃,也介紹了FORESEE品牌持續(xù)發(fā)展的動力。
2023-04-21
江波龍 FORESEE 存儲行業(yè)
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納芯微王升楊:中國模擬芯片公司為汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展注入新動能
3月31日至4月2日,由中國電動汽車百人會主辦,清華大學、中國汽車工程學會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國汽車技術(shù)研究中心、中國汽車工程研究院共同協(xié)辦的第九屆中國電動汽車百人會論壇在北京釣魚臺國賓館召開。論壇以"推進中國汽車產(chǎn)業(yè)現(xiàn)代化"為主題,來自政府有關部門和汽車、能源、交通、城市、通訊等...
2023-04-21
納芯微 模擬芯片 汽車產(chǎn)業(yè)
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電源模塊應用疑惑與解惑
在電源模塊選型應用中,曾經(jīng)是否會因選用隔離電源模塊還是非隔離電源模塊而難做抉擇?本文可以讓你能快速做出判斷,選擇合理的供電方案,能夠保證系統(tǒng)安全平穩(wěn)運行。
2023-04-20
電源模塊 應用
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