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減排新突破！意法半導體新加坡工廠冷卻系統升級，護航可持續發展
全球領先半導體制造商意法半導體（ST）宣布，其位于新加坡的核心封裝研發與晶圓測試基地——大巴窯工廠，已委托新加坡能源集團（SP Group）完成冷卻基礎設施升級。此次創新冷卻系統的部署顯著提升了工廠能源效率，預計每年可減少約2,140噸碳排放，有力增強了工廠的可持續發展能力。
2025-06-11
意法半導體 大巴窯工廠 可持續發展 新冷卻系統
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電壓放大器：定義、原理與技術應用全景解析
電壓放大器是電子工程領域的核心器件，被形象稱為“信號強化心臟”，其核心功能是將輸入的微伏級微弱信號精確放大至可驅動后續電路或設備的伏特級電壓水平。作為模擬信號處理的基石，它不僅解決了傳感器、通信設備中的信號衰減問題，還在音頻系統、醫療儀器等領域中扮演關鍵角色。據產業研究顯示，202...
2025-06-11
電壓放大器
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國產技術新勢力！Aquacells超純水EDI打破進口壟斷
近日，由武漢淡元格新型膜材料有限公司（以下簡稱Aquacells）自主生產的EIMD-HP 熱水消毒型EDI（Electrodeionization）膜堆，在制藥行業超純水制備領域引發國內外高度關注。
2025-06-11
國產技術
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多通道同步驅動技術中的死區時間納米級調控是如何具體實現的？
在電力電子系統中，多通道同步驅動的死區時間直接影響系統效率和安全性。傳統方案常面臨時序誤差累積（±10ns以上）、開關損耗高（占系統總損耗15%-25%）和模式切換不靈活等痛點。納米級死區調控技術通過硬件架構革新與智能算法協同，將控制精度提升至亞納秒級，為新能源汽車、高頻電源等場景提供關...
2025-06-10
多通道同步驅動技術 納米級調控
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集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
在新能源汽車主驅模塊（如800V平臺）中，多電平拓撲通過串聯開關器件實現高壓階梯化處理，但分立式驅動方案面臨兩大核心挑戰。
2025-06-10
柵極驅動IC 多電平拓撲 電壓均衡
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不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開關頻率、低導通損耗的特性，正在快速滲透消費電子、汽車電驅和數據中心等領域。然而，不同拓撲結構對GaN器件的需求呈現顯著差異：例如快充領域的LLC諧振拓撲需要高頻率下的電磁干擾控制，而車載雙向逆變器更關注動態電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓撲、雙向逆變拓撲...
2025-06-10
氮化鎵 GaN器件 消費電子 汽車電驅 數據中心 撲結構
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如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
在開關模式電源（SMPS）中使用氮化鎵（GaN）技術時，盡管其在高功率密度、高頻開關和低功耗方面具有顯著優勢，但也面臨一系列技術挑戰。
2025-06-10
氮化鎵技術 開關模式電源
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