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除了氮化鎵，快充技術還須關注哪些領域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優于硅器件，通常用于射頻應用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導率高達 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
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延時校準、脈沖測試一定要做的事兒！
進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開關特性，可以說它伴隨著功率器件從研發制造到應用的整個生命周期。基于雙脈沖測試獲得的器件開關波形可以做很多事情，包括：通過對開關過程的分析驗證器件設計方案并提出改進方向、提取開關特征參數制作器件規格書、計算開關損耗和反向恢復損耗為電源熱設計提供數據支撐、不同廠商器件開關特性的對比等。
2022-09-20
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數的非線性與信號電平、熱效應和環境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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汽車感性負載安全退磁能量計算和分析
隨著汽車電子技術的發展，輕量化與智能化的需求也帶動了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負載驅動的大規模應用。對于感量較大的負載，如雨刮、鼓風機、風扇、繼電器等，需要考慮負載關斷時產生的能量對系統的沖擊，同時驅動器件不能被該能量擊穿。本文提供了評估測量感性能量的方法和工具，在一個明確定義的應用場景中，瞬間關斷時的產生的箝位能量（ECL），與高壓側器件本身的能量能力進行對比，保證IPD器件長期可靠工作。
2022-08-03
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GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。
2022-07-29
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25kW SiC直流快充設計指南(第八部分完結篇)：熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。在這一章，我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時防止系統過早失效的。
2022-07-11
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25kW SiC直流快充設計指南(第七部分)：800V EV充電系統的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25kW EV快充系統，包括這個可擴展系統的整體架構和規格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設計和控制策略。我們基本已經把電路設計部分講完了，除了輔助電源設計的相關內容。
2022-07-07
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅動芯片的三個優勢
現在的高功率變頻器和驅動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關時）變化到低于地的負壓（S1關閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產生的瞬態負電壓。
2022-06-28
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功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現方法是：
2022-06-13
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集成容性隔離助力高密度適配器設計
快充需求推動了高密度適配器的蓬勃發展。在實際的適配器設計中，花樣繁多的新型開關功率器件、拓撲和控制方案不計其數。
2022-05-16
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