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飛兆半導體：先準確定位需求然后才能正確擴大產能
現階段，功率器件出現供不應求的緊張態勢持續已久，二季度后，傳統功率器件市場的旺季將加劇缺貨情況。未來市場供需會有哪些變化？哪些市場將會是功率器件市場的藍海？面對本土功率器件廠商的崛起，功率器件大廠將如何應對？針對上述問題，電子元件技術網采訪了飛兆半導體技術行銷部首席經理張三嶺...
2011-03-01
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智能功率器件
本文以英飛凌公司的智能PROFETBTS5020-2EKA_DS20為例，詳細解釋了燈泡在沖擊電流的物理模型，進而給出了如何在設計中計算沖擊電流下驗證器件的安全。
2011-02-28
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小電流可控硅固體開關的研制
本文通過脈沖變壓器隔離控制28個串聯可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關，對固體開關的串聯技術進行了試驗研究，并討論了串聯電路所涉及到的觸發信號的高壓隔離技術、驅動信號同步技術以及功率器件的動態靜態均壓技術。
2011-01-25
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2011年LED照明市場與技術概覽
電子元件技術網揭示LED市場熱點，發布有關技術和市場的獨到的見解，分析新的一年中市場和產品趨勢。本期半月談將聚焦于與LED照明相關的功率器件、驅動IC、電源模塊、熱管理技術、連接器和電路保護器件，以及與他們相關的新的市場機遇。
2011-01-17
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NEULAND項目將開發能耗減半的新型半導體材料
——主要面向可再生能源、電信和照明系統為此，德國半導體和太陽能行業的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯邦教育與研究部（BMBF）資助，旨在開辟可再生能源電力高效利用的新途徑。NEULAND代表具備高能效和成本效益、基于寬帶隙化合物半導體的創新功率器件。該項目旨在系統成本不大幅提高的前提下，將可再生能源電力并網損耗降低50%，例如光伏逆變器。這將有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）的創新半導體器件實現。
2011-01-05
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Z-Rec?650V：Cree推出碳化硅肖特基二極管滿足數據中心電源系統要求
碳化硅功率器件領域的市場領先者 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec?650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數據中心電源架構修改的要求。據行業咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達 5% 。由于數據中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%，任何水平的能效提升都會有助于大幅降低總體能耗。
2010-12-21
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新型材料的電力電子器件：碳化硅功率器件
碳化硅是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，在電力電子方面也是很重要的，可制作出性能更加優異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等設備的節能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今后5～10年內出現，并將對半導體材料產生革命性的影響。
2010-12-16
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Mouser Electronics與 Powercast公司簽署全球分銷協議
Mouser Electronics，以其快速導入最新電子元器件與技術而知名。近日宣布與Powercast 公司簽署全球分銷協議。Powercast是在對微功率器件進行遠程無線電力傳輸方面具有突破性貢獻的創新企業。
2010-11-15
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RTP200R120SA：泰科電子推出可回流焊熱保護器件用于汽車電子
泰科電子推出業界首款可回流焊熱保護(RTP)器件，幫助節省電路板空間和組裝時間，堅固耐用的表面貼裝RTP器件幫助保護汽車和工業應用中的功率器件免受過熱事件造成的損壞...
2010-11-15
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無錫“530計劃”企業集中展示物聯網解決方案
素有“小上海”之稱的歷史名城無錫，近年來在中國電子產業版圖上崛起迅速，與百公里外的“大上海”遙相輝映，昔日的“魚米之鄉”，如今更成電子產業重鎮。參加第76屆中國電子展（ CEF）的無錫展商已成集群化、規模化、前沿化趨勢，涉及領域既有半導體芯片、功率器件、測試測量等傳統行業，又有無線通信、智能家居與安防、物聯網、RFID等熱門產業。
2010-11-04
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IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用研究
本文主要通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論，介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用。
2010-11-03
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大量無錫廠商參加中國電子展
參加第76屆中國電子展（www.iCEF.com.cn）的無錫展商已成集群化、規模化、前沿化趨勢，涉及領域既有半導體芯片、功率器件、測試測量等傳統行業，又有無線通信、智能家居與安防、物聯網、RFID等熱門產業。
2010-11-01
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