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如何在有限空間里實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法！

SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最小化。

2023-09-18

高性能  RDS(On)  表面貼裝

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。

2023-09-18

英飛凌  IC  SiC MOSFET

主流觸控面板技術分析與觸控方案介紹

近年來，觸控板的應用可說是越來越廣泛，觸控式面板已經是一個當紅且快速成長的應用及市場。

2023-09-15

800V高壓快充能否助力小米汽車彎道超車

如今的汽車市場可謂是一片火熱，除了傳統車企以外，造車新勢力的加入更是給汽車市場增加了不少活力，并且市場上已經出現跨界造車的趨勢。

2023-09-15

貿澤和Bourns聯手推出新電子書，介紹無源元件在電子設計中日益重要的作用

2023年9月14日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Bourns, Inc.合作發布了一本新電子書，探討無源元件在可再生能源、混動汽車和電動汽車等新興電子應用中的作用。

2023-09-15

貿澤  Bourns  無源元件

如何實現能夠同步控制兩個或更多步進電機的遠程主機系統？

工業4.0為遠距離實現邊緣智能帶來了曙光，而10BASE-T1L以太網的數據線供電(PoDL)功能、高數據傳輸速率以及與以太網協議兼容也為未來發展鋪平了道路。本文介紹如何在自動化和工業場景中集成新的10BASE-T1L以太網物理層標準，將控制器和用戶界面與端點（例如多個傳感器和執行器）連接起來，所有器件均...

2023-09-15

同步控制  步進電機  遠程主機系統

SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？

在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經是大勢所趨。

2023-09-15

SiC  功率半導體  安森美

干貨收藏！加快USB PD電池充電器設計

便攜設備擁有的一些高級功能，比如5G、4K顯示等，往往推高了系統功耗——使用大容量2S電池設備的功耗通常遠遠超過15W。對于這些高耗電設備，使用USB充電（PD）大有裨益，因為它可以實現快速充電，使這些產品得以保持持續運行而避免發生停機（圖1）。此外，為了實現簡便化和標準化，諸多曾經使用AC-DC...

2023-09-14

USB  PD電池充電器

如何選擇和開始使用功率器件驅動器

所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而后者則在惡劣條件下工作...

2023-09-14

功率器件  驅動器