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面向未來的電源開關(guān)解決方案

發(fā)布時間:2024-05-12 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化對于擴展性能和延長續(xù)航里程至關(guān)重要。對于工業(yè)而言,提高效率是減少全球能源消耗和增強可持續(xù)性的必需條,因此當(dāng)前重點是直流微電網(wǎng)技術(shù)的效率效益。在綠色可再生能源方面,高效率會促進(jìn)光伏發(fā)電、水力發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電的采用,以便從有限的自然資源中最大限度獲取能源。 


在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化對于擴展性能和延長續(xù)航里程至關(guān)重要。對于工業(yè)而言,提高效率是減少全球能源消耗和增強可持續(xù)性的必需條,因此當(dāng)前重點是直流微電網(wǎng)技術(shù)的效率效益。在綠色可再生能源方面,高效率會促進(jìn)光伏發(fā)電、水力發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電的采用,以便從有限的自然資源中最大限度獲取能源。 

為了實現(xiàn)這一基本效率目標(biāo),電力電子行業(yè)正在向提高開關(guān)頻率和電壓過渡,同時仍試圖平衡成本與性能并減小總體尺寸(圖 1)。然而,實現(xiàn)這種轉(zhuǎn)變需要集成下一代半導(dǎo)體器件,并定期發(fā)布新版本的功率 MOSFET 以及寬帶隙 SiC 和 GaN。 

這給設(shè)計工程師帶來了挑戰(zhàn):在開關(guān)功率晶體管技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的背景下,如何才能保證功率驅(qū)動產(chǎn)品不會過時,從而在不需要不斷重新設(shè)計的情況下利用這些新一代技術(shù)?


面向未來的電源開關(guān)解決方案圖 1:開關(guān)頻率越高,解決方案尺寸就越小,但晶體管技術(shù)的選擇取決于輸出功率并受限于成本。


以典型的電源設(shè)計需求為例:電動汽車需要一種高效、緊湊的先進(jìn)三相電池充電器解決方案。采用雙向功率驅(qū)動,同時在兩個方向上應(yīng)同樣有效:交流轉(zhuǎn)直流和直流轉(zhuǎn)交流。交流側(cè)應(yīng)具有有源功率因數(shù)控制 (PFC),直流側(cè)應(yīng)具有低開關(guān)損耗,并與電壓高達(dá) 800 VDC 的電池包連接。該設(shè)計需在高開關(guān)頻率下運行,以減小電感元件的尺寸和重量。 

圖 2 所示為一種可能的解決方案,其中結(jié)合了三相 PFC、全橋雙向 LLC 和有源整流器。該解決方案需要 14 個功率晶體管,為實現(xiàn)最佳性價比,可以混合使用 MOSFET、SiC 和可用的 GaN 器件。


面向未來的電源開關(guān)解決方案圖 2:雙向電動汽車電池充電器設(shè)計的可能解決方案。


所有功率晶體管都需要使用單獨的柵極驅(qū)動器,高側(cè)晶體管(Q1、Q3、Q5、Q7、Q9、Q11 和 Q13)還需要電隔離。如果柵極驅(qū)動器具有單獨的 Out+ 和 Out- 引腳,則可以在導(dǎo)通和關(guān)斷周期使用不同的柵極電阻來優(yōu)化開關(guān)特性。此外,還可以選擇隔離 Vpos 和 Vneg 以在導(dǎo)通周期期間充分增強晶體管,并在關(guān)斷周期期間快速對柵極電容進(jìn)行放電。負(fù)“關(guān)斷”電壓還可消除因源極電感造成的錯誤導(dǎo)通,從而提高開關(guān)可靠性[有關(guān)負(fù)柵極驅(qū)動電壓(也適用于低側(cè)開關(guān))需求的詳細(xì)分析,請參閱 RECOM 網(wǎng)站中提供的白皮書“使用 IGBT 和 SIC MOSFET 來設(shè)計可靠耐用之晶體管電路” ]。這就是問題所在:不同的開關(guān)技術(shù)以及不同版本的晶體管,其最大柵極驅(qū)動電壓不盡相同(圖 3)。


面向未來的電源開關(guān)解決方案圖 3:晶體管柵極驅(qū)動電壓因技術(shù)和版本原因存在差異。


針對 +15/-9 V 非對稱電源電壓的 IGBT 而優(yōu)化的柵極驅(qū)動器設(shè)計,將對只有 1 V 余量到負(fù)絕對最大限值的第一代或第二代 SiC 造成嚴(yán)重壓力,并且完全無法兼容第三代 SiC 晶體管。需要從第一代 SiC 過渡到第二代或第三代 SiC 的設(shè)計中存在類似問題:+20 V 正軌電壓將等于或超過新一代的絕對最大限值,導(dǎo)致過早出現(xiàn)故障。 

目前的趨勢是,每一代新型功率晶體管都將在較低的柵極驅(qū)動電壓電平下完全增強或完全耗盡,但最佳柵極驅(qū)動電壓電平仍會因制造商、開發(fā)迭代和晶體管類型而有所不同。  由于隔離柵極驅(qū)動器電源電壓(Vpos和Vneg)由隔離變壓器或隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供,盡管柵極驅(qū)動器本身適用于所有晶體管類型,但每種功率晶體管的選擇都需要不同的解決方案。這意味著即使使用引腳兼容的二級供應(yīng)商開關(guān)晶體管,也可能需要對隔離電源進(jìn)行重大設(shè)計更改。

可編程隔離非對稱電源則可以滿足此類需求,以支持柵極驅(qū)動器電路針對不同的晶體管選項(可能包括尚未發(fā)布的新一代晶體管)進(jìn)行優(yōu)化。

RECOM 發(fā)布了此類產(chǎn)品:RxxC2T25S。這是一款采用 SOIC 封裝的 SMD DC/DC 轉(zhuǎn)換器,并帶有集成隔離變壓器(圖 4)。通過改變反饋分壓器電路中的電阻值,可以將輸出單獨設(shè)置為處于 +2.5 V 至 +22.5 V 和 -2.5 V 至 -22.5 V 的范圍內(nèi),這意味著只要組合輸出在 18 至 25 V 范圍內(nèi),一種電源解決方案即可提供 +15/-9、+20/-5、+18/-4、+15/-3 或任何其他輸出電壓組合。這支持設(shè)計人員通過更改 BoM 電阻值(而不是 PCB 設(shè)計),在一級和二級功率晶體管供應(yīng)商之間輕松切換。這也意味著,如果推出具有 +14.5/-3.5 V 最佳柵極驅(qū)動電壓的全新一代功率晶體管,則該解決方案足以滿足未來需求。最后,輸出電壓可獨立調(diào)節(jié),這對于將柵極驅(qū)動到非常接近絕對最大值電壓電平以獲得盡可能高的開關(guān)效率至關(guān)重要。


面向未來的電源開關(guān)解決方案圖 4:采用 SOIC 封裝的隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,具有可編程的非對稱穩(wěn)壓輸出。


隨著功率水平增加到千瓦級,柵極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器電源周圍的環(huán)境要求變得更加嚴(yán)苛。盡管先進(jìn)的 WBG 功率晶體管技術(shù)的開關(guān)損耗較低,但預(yù)計環(huán)境工作溫度較高。高電壓的硬開關(guān)會產(chǎn)生非常高的 dv/dt 轉(zhuǎn)換速率,因此良好的 CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)、低隔離電容和高隔離度對于保證開關(guān)穩(wěn)定可靠至關(guān)重要。 

RxxC2T25S 的環(huán)境工作溫度范圍為 -40 ℃ 至 +100 ℃(1.5 W 負(fù)載),最高 +125 ℃(0.6 W 負(fù)載),特別是 CMTI 為 ±150 kV/μs,隔離電容僅為 3.5 pF 和 3 kVAC/1 分鐘隔離(額定重復(fù)峰值電壓為 ±1200 VDC)。輸出還提供全面保護(hù)措施,可以防止短路、過載和過溫故障。 

欠壓鎖定功能意味著,只有輸入電壓和輸出電壓都穩(wěn)定后,才會激活 DC-OK 引腳,因此該引腳可以連接到柵極驅(qū)動器上的使能引腳,以確保從首個開關(guān)周期開始就處于穩(wěn)定狀態(tài)(圖 5)。


面向未來的電源開關(guān)解決方案圖 5:使用 RxxC2T25S 的全面隔離柵極驅(qū)動器解決方案。R1-R4 設(shè)置輸出電壓。


總之,RxxC2T25S 是設(shè)計人員期待已久的解決方案。一款堅固耐用的 SMD 部件,專為隔離柵極驅(qū)動器應(yīng)用而設(shè)計,具有滿足期望的所有技術(shù)功能,并且能夠自由選擇輸出電壓,從而可利用現(xiàn)有解決方案以及未來設(shè)計獲得最大效率。


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