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ASMT-Mx00：安華高照明用1W高功率LED產(chǎn)品
Avago宣布，推出第一款面向各種建筑、庭園和裝飾照明應(yīng)用的1W高功率Moonstone LED系列產(chǎn)品ASMT-Mx00。這款相當(dāng)具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的LED提供有黃色光和紅色光輸出選擇，為固態(tài)照明應(yīng)用設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)具備寬廣視角發(fā)光模式和卓越散熱能力。
2008-04-08
LED Moonstone ASMT-Mx00 照明應(yīng)用
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ASMT-Mx00：安華高照明用1W高功率LED產(chǎn)品
Avago宣布，推出第一款面向各種建筑、庭園和裝飾照明應(yīng)用的1W高功率Moonstone LED系列產(chǎn)品ASMT-Mx00。這款相當(dāng)具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的LED提供有黃色光和紅色光輸出選擇，為固態(tài)照明應(yīng)用設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)具備寬廣視角發(fā)光模式和卓越散熱能力。
2008-04-08
LED Moonstone ASMT-Mx00 照明應(yīng)用
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MAX4888A/MAX4889A：Maxim PCIe高速無(wú)源開(kāi)關(guān)
Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān)，能夠切換速率在5.0Gbps的數(shù)據(jù)。這兩款無(wú)源開(kāi)關(guān)支持PCIe 2.0數(shù)據(jù)切換，具有較低的功耗，并且提供按信號(hào)流向的引腳配置以?xún)?yōu)化PCB布板。
2008-04-07
MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān) DisplayPort
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對(duì)針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿(mǎn)足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評(píng)為年度最佳產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
2008-03-31
HE3 濕鉭高能電容器
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電子元器件小批量業(yè)務(wù)成分銷(xiāo)商競(jìng)爭(zhēng)新策略
小批量采購(gòu)需求的增長(zhǎng)引起分銷(xiāo)商的關(guān)注，紛紛推出小批量采購(gòu)服務(wù)。對(duì)于以批量業(yè)務(wù)為主的分銷(xiāo)商來(lái)說(shuō)，小批量業(yè)務(wù)的推出成為其有效的競(jìng)爭(zhēng)策略。
2008-03-28
小批量業(yè)務(wù)
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MAX4929E：Maxim新低頻HDMI/DVI控制開(kāi)關(guān)
Maxim推出MAX4929E低頻HDMI/DVI控制開(kāi)關(guān)。該器件能夠在進(jìn)入單個(gè)顯示器的兩路數(shù)字視頻信號(hào)之間進(jìn)行切換，或在多個(gè)HDMI/DVI連接器之間切換，并保持高度的信號(hào)完整性。
2008-03-27
MAX4929E HDMI/DVI控制開(kāi)關(guān)
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I-Trac：Molex傳統(tǒng)背板和直角構(gòu)架背板連接器系統(tǒng)
Molex公司的I-Trac背板連接器系統(tǒng)可提供全面耦合、觸發(fā)補(bǔ)償?shù)?2.5 Gbps高速解決方案。其設(shè)計(jì)消除了通過(guò)中間板的信號(hào)電路，在傳統(tǒng)背板和垂直正交子版構(gòu)架中均可使用。I-Trac系統(tǒng)采用通用的插針和子卡元器件，使得設(shè)計(jì)工程師擁有最大的靈活性，同時(shí)降低應(yīng)用成本，并提高信道的信號(hào)完整性能。
2008-03-27
I-Trac 連接器
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
Si7192DP 功率MOSFET Siliconix TrenchFET
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