-
TJ3-HT:Vishay新型環形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環形高電流、高溫電感器。該器件具有業內最高額定及飽和電流以及業內最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
-
BU25/BU20/BU15/BU12/BU10:Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
-
MAX4983E/MAX4984E:Maxim高速USB DPDT開關
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關MAX4983E/MAX4984E,可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz),允許采用單個連接器實現高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關
-
SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
-
SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
-
TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
-
STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
-
STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
-
ACAS 0612 AT:Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列,該器件已通過AEC-Q200測試,并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求,同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
- 安森美與舍弗勒強強聯手,EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯手,800V直流方案賦能AI數據中心能效升級
- 貿澤電子自動化資源中心上線:工程師必備技術寶庫
- 隔離變壓器全球競爭圖譜:從安全隔離到能源革命的智能屏障
- 芯海科技盧國建:用“芯片+AI+數據”重新定義健康管理
- 安森美CEO深度解析:電動汽車與AI服務器雙賽道的戰略突圍
- SD-WAN技術深度解析:如何重構企業網絡經濟模型并實現50%成本節約
- 新型電力系統下的電能質量革命:PQAS如何實現從監測到治理的智能閉環
- 雷達信號采集新突破:國產12位500MSPS ADC如何實現65dB超高動態范圍
- 直流微電網技術革命:如何重塑工業能源格局
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall