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電子器件：行業(yè)符合預(yù)期 電子器件表現(xiàn)搶眼
工信部近日公布2009年1-11月規(guī)模以上電子信息制造業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)完成情況。電子元件、電子器件行業(yè)11月扭轉(zhuǎn)了負(fù)增長(zhǎng)局面，從10月的同比下降1.5%和0.6%轉(zhuǎn)為同比增長(zhǎng)0%和2.9%，分別提高了1.5和3.5個(gè)百分點(diǎn)。行業(yè)表現(xiàn)符合預(yù)期。
2010-01-11
電子器件 電子元件 液晶 顯示面板
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“3英寸品僅為7萬(wàn)日元左右”——用于功率元件的SiC底板不斷降價(jià)
功率元件用SiC底板不僅品質(zhì)不斷提高，價(jià)格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來(lái)了需求擴(kuò)大，但降價(jià)的主要原因在于提供好品質(zhì)底板的廠商增多，“開(kāi)始出現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)”（多家底板廠商）。
2010-01-08
功率元件 SiC 底板
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2010年半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)熱點(diǎn)分析
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公司的預(yù)測(cè)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2010年大力反彈。電子和半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2010年取得兩位數(shù)的增長(zhǎng)速度，增幅將達(dá)到17.8%。
2010-01-08
半導(dǎo)體 芯片 物聯(lián)網(wǎng) 應(yīng)用市場(chǎng) 熱點(diǎn)
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Avago推出新系列5mm藍(lán)光和綠光高亮度高性能直插型LED燈
每一只HLMP-Cxxx系列LED都采用先進(jìn)的光學(xué)級(jí)環(huán)氧樹(shù)脂制作，帶來(lái)卓越的耐高溫和耐高濕度特性，封裝所使用的環(huán)氧樹(shù)脂也具備高度紫外線阻隔能力，可以降低長(zhǎng)時(shí)間曝光在直接陽(yáng)光照射下所造成的劣化影響。
2010-01-08
Avago 新系列 藍(lán)光綠光 高亮度 直插型LED燈
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H/HZ系列：Vishay新一代超高精度Bulk Metal?箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)
2010-01-08
Vishay 箔電阻 新標(biāo)準(zhǔn)
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夏普與意法半導(dǎo)體合資生產(chǎn)太陽(yáng)能電池
夏普計(jì)劃借此擴(kuò)展清潔能源業(yè)務(wù)，降低生產(chǎn)成本。夏普和意大利公用事業(yè)公司Enel曾在2008年宣布，打算與一家歐洲制造商合作生產(chǎn)薄膜太陽(yáng)能電池，但未指明是哪家公司。
2010-01-07
夏普 意法半導(dǎo)體 合資 太陽(yáng)能電池
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OmniVision Technologies推出14.6百萬(wàn)像素圖像傳感器
領(lǐng)先的高級(jí)數(shù)字成像解決方案開(kāi)發(fā)商O(píng)mniVision Technologies, Inc.今天推出了14.6百萬(wàn)像素圖像傳感器，能夠提供高分辨率的靜止攝影和在每秒60幀完整的1080p高清晰度的動(dòng)態(tài)影像。最新用于數(shù)碼相機(jī)/攝像機(jī)(DSC/DVC)的全新OV14810和用于移動(dòng)應(yīng)用OV14825皆是第一個(gè)傳感器實(shí)現(xiàn)為主流的消費(fèi)電子產(chǎn)品提供最...
2010-01-07
OmniVision 圖像傳感器 OV14810
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電阻市場(chǎng)發(fā)展前景向好 2010年需求強(qiáng)勁
業(yè)內(nèi)廠家認(rèn)為，2010年電阻市場(chǎng)發(fā)展前景向好，需求強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2010年電阻市場(chǎng)空間仍將不斷擴(kuò)大，年增長(zhǎng)速度將保持在20%左右。
2010-01-07
電阻 電子設(shè)備 元器件 3G 高清市場(chǎng)
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SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。
2010-01-06
SiB455EDK Vishay P溝道 第三代 TrenchFET 功率MOSFET
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