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高速CMOS 模擬集成電路中的靜電保護電路設計
本文分析了靜電放電( ESD) 保護的基本原理，指出了傳統(tǒng)的用于模擬電路的ESD 保護電路在高速電路應用中的局限性。 提出了在端口的柵極接地NMOS 管和柵極接電源PMOS 管的基礎上，加上電源與地之間的高速靜電瀉放回路(片上保護) 的新電路結構。 仿真結果表明，該電路滿足USB2.0 高速接口電路的ESD 保護...
2008-09-30
靜電放電保護 人體模型 片上保護 柵極接地的NMOS
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開關電源的電磁兼容性設計
如今，開關電源體積越來越小，功率密度越來越大，EMl/EMC問題成為了開關電源穩(wěn)定性的一個關鍵因素，也是最容易忽視的一個方面。實踐證明，EMI問題越早考慮，越早解決，費用越小，效果越好。隨著各國電磁兼容性標準的加強，電磁兼容性設計在開關電源設計過程中的位置也愈加重要，因此，必須充分重視...
2008-09-29
EMC 電磁干擾 EMT 屏蔽措施
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電源高位跟蹤系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)
本系統(tǒng)通過采用可控硅延時開關的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無級跟蹤控制的問題，實現(xiàn)了輸入極電壓對輸出極電壓的非開關電源方式的全程無級高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。
2008-09-29
差壓轉換 同步取樣 可控硅延時開關 無級高位跟蹤
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電磁干擾濾波電容器使用方法
電容器是電路中最基本的元件之一，利用電容濾除電路上的高頻騷擾和對電源解耦是所有電路設計人員都熟悉的。但是，隨著電磁干擾問題的日益突出，特別是干擾頻率的日益提高，由于不了解電容的基本特性而達不到預期濾波效果的事情時有發(fā)生。本文介紹一些容易被忽略的影響電容濾波性能的參數(shù)及使用電容...
2008-09-29
電磁干擾 濾波器 電容器 穿心電容
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設計實例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設備保持正常工作。一個隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內(nèi)保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍僅約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開關S1就會關閉，而來...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉換器設計需要高效率和低IQ
由于在機箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉換器設計師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設計師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設計
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢成為DSC、掌上游戲機或手機等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景。總之，技術與市場潛力是一個產(chǎn)業(yè)成長的關鍵因素。在技術上，國內(nèi)OLED廠商的努力已相當受到肯定，若能進一步提升品牌效應、產(chǎn)品定位上的實力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來越大和動態(tài)要求的越來越嚴格，AVP控制在VRM中的應用被人們重新認識。本文對AVP控制策略的有源法和無源法進行了理論分析，并采用一種新式檢測方法實現(xiàn)AVP控制,并通過比較實驗證實了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調整模塊 降壓控制 有源法 無源法
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EMI及無Y電容手機充電器的設計
本文介紹了與EMI傳導相關的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點和動點的概念，然后詳細地說明了在變壓器結構中使用補償設計以及靜點和動點的調整方法，以提高EMI的傳導性能。最后給出了相應的實驗波形和測試結果。
2008-09-29
傳導干擾 共模電流 差模電流 Y電容
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