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電子式電能表絕緣性能對EMC抗擾度試驗的影響與改進
本文討論電子式電能表的絕緣性能對EMC抗擾度試驗的影響及改進措施。通過增大間隙或爬電距離能使電能表的絕緣性能符合要求，從而能夠通過EMC抗擾度試驗，而增加的成本最低。優化后的試驗流程為優先通過6kV的脈沖電壓試驗，然后進行各項EMC抗擾度試驗，可以達到事半功倍的效果。
2008-10-12
電子式電能表 絕緣性能 EMC 爬電距離
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RFID 技術原理及其射頻天線設計
首先簡要介紹RFID 技術的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統中方向性上的不足提出改進,最后,給出一個具有全向收發功能的RFID 天線設計.
2008-10-12
RFID 技術 天線 偶極子
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲系數和高OIP3使它在高動態范圍電路設計上具有很大的優勢,并且該放大器的技術指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規范要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結構 LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯終端匹配和并聯終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產品及其工藝開發
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構，通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數，并設計了一套符合6寸芯片生產線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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