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低損耗、高結溫！基本半導體混合碳化硅分立器件性能優勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管（FWD）構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化硅肖特基二極管作為續流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優點。
2023-10-24
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電動汽車熱和集成挑戰
到目前為止，我們提到的每一種趨勢都帶來了獨特的技術挑戰。對于更高集成度的解決方案，主要挑戰在于創建節能解決方案。具體來說，隨著高性能組件之間的集成變得更加緊密，對熱密度的擔憂開始威脅到設備的可靠性。控制熱量需要高能效半導體，將少的功率轉化為熱量。因此，業界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半導體使 xBEV 電池無需充電即可使用更長時間，從而延長汽車的行駛里程。由于行程范圍非常重要，這反過來又提高了電動汽車在市場上的價值。
2023-09-27
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
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IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已開發出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。
2023-09-06
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不同殼溫下SOA曲線的計算方法
安全工作區(SOA)定義為IGBT可以預期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件，分為正向偏置和反向偏置安全工作區（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作區(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向偏置安全工作區(RBSOA)定義了IGBT關斷期間的可用電流和電壓條件。在實踐中，SOA曲線是工程師的重要參考之一。工程師必須考慮到所有的極限工況，同時保證器件的工作時的參數都在SOA之內。不僅需要在安全工作區域內使用IGBT，而且還需要控制器件的工作溫度。
2023-08-23
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有效測量碳化硅信號
碳化硅（SiC）技術已超越傳統的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率系統的主要熱和電氣優勢。這些優勢包括更高的開關頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統升級和系統設計的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節（HVAC）系統以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業的需求，并進一步完善持續擴大的高壓技術產品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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BLDC 電機控制設計
在無刷電機中，電流反轉是通過微控制器控制的一組功率晶體管（通常是 IGBT）以電子方式獲得的。驅動它們的主要問題是了解電機的準確位置；只有這樣控制器才能確定驅動哪一相。轉子的位置通常使用霍爾效應傳感器或光學傳感器獲得。在效率方面，由于摩擦減少，無刷電機比同等交流電機產生的熱量少得多。
2023-08-17
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如何優化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-15
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電機控制設計基礎知識
軟件和硬件都是所有電機控制系統的一部分，例如 IGBT、WBG 半導體和 MCU。工業4.0的發展強烈依賴于電機控制，但能源消耗是一個關鍵問題，因為它正在快速增長，并且需求隨著設計的復雜性而增長，因為許多電子技術都有嚴格的控制要求。寬帶隙 (WBG) 材料就是這種情況的一個例子。
2023-08-15
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