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異構(gòu)集成 (HI) 與系統(tǒng)級芯片 (SoC) 有何區(qū)別？
異構(gòu)集成 (Heterogeneous integration，HI) 和系統(tǒng)級芯片 (System on Chip，SoC) 是設(shè)計(jì)和構(gòu)建硅芯片的兩種方式。異構(gòu)集成的目的是使用先進(jìn)封裝技術(shù)，通過模塊化方法來應(yīng)對 SoC 設(shè)計(jì)日益增長的成本和復(fù)雜性。
2022-12-19
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慣性傳感器+類卡爾曼誤差補(bǔ)償，預(yù)測AR/VR設(shè)備方向
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）技術(shù)近年在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界吸引了極高的關(guān)注度，它們豐富了現(xiàn)實(shí)世界環(huán)境，或用模擬環(huán)境替代現(xiàn)實(shí)世界。然而，AR/VR設(shè)備存在的端到端延遲會(huì)嚴(yán)重影響用戶體驗(yàn)。尤其是動(dòng)顯延遲（Motion-to-photons latency，定義為從用戶發(fā)生動(dòng)作到該動(dòng)作觸發(fā)的反饋顯示在屏幕上所需要的時(shí)間），它是限制AR/VR應(yīng)用的主要挑戰(zhàn)之一。例如，動(dòng)顯延遲高于20 ms就會(huì)導(dǎo)致用戶惡心或眩暈。
2022-12-09
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提高電源轉(zhuǎn)換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構(gòu)顯示出多項(xiàng)優(yōu)勢）
近年來隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化？
近年來隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-07
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基于傳感器內(nèi)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，可顯著降低傳感器功耗
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，亞利桑那州立大學(xué)（Arizona State University）介紹了一種片上模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，該技術(shù)利用基于儲(chǔ)層計(jì)算范式的模擬超維計(jì)算，在本地傳感器內(nèi)處理心電圖（electrocardiograph，ECG）信號，并將射頻（RF）傳輸減少三個(gè)數(shù)量級以上。片上模擬-信息轉(zhuǎn)換器不是傳輸稀疏的ECG信號或提取的特征，而是通過一個(gè)附有人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的非線性存儲(chǔ)內(nèi)核來分析ECG信號，并傳輸預(yù)測結(jié)果。所開發(fā)的技術(shù)被證明可用于檢測敗血癥發(fā)作，并實(shí)現(xiàn)了超高的準(zhǔn)確度和能效，同時(shí)使用65nm CMOS原型測試芯片將傳感器功耗降低了159倍。
2022-12-06
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新型的工業(yè)級TMR角度傳感器
在 IoT 市場、工業(yè)設(shè)備以及消費(fèi)類方面的應(yīng)用中，常需要傳感器來感測角度，使設(shè)備能夠進(jìn)行精確的運(yùn)動(dòng)或是進(jìn)行相對應(yīng)的判斷，其中一種新型的 TMR （Tunnel Magneto-resistance）傳感器便具有高靈敏度、低功耗、高線性度、低溫度依賴性等優(yōu)勢。本文將為您介紹TMR傳感器的特色，以及由Murata銷售的Crocus Technology TMR角度傳感器的產(chǎn)品特性。
2022-12-05
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AR眼鏡中的顯示技術(shù)：虛擬超脫想象之外，包羅萬象卻基于現(xiàn)實(shí)
近幾年，元宇宙如一陣熱風(fēng)，吹起了無數(shù)人對于“科技、夢幻與未來”的想象。隨著“元宇宙”的火爆，作為其硬件載體的AR、VR設(shè)備成為了科技創(chuàng)新的重要領(lǐng)域之一。AR增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（Augmented Reality，簡稱AR），是指透過攝影機(jī)影像的位置及角度精算并加上圖像分析技術(shù)，讓屏幕上的虛擬世界能夠與現(xiàn)實(shí)世界場景進(jìn)行結(jié)合與交互的技術(shù)。
2022-12-05
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術(shù)研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個(gè)微帶天線單元組成，通過耦合式差分饋電，天線實(shí)現(xiàn)了寬帶匹配和方向圖高度對稱特性。通過對天線與芯片進(jìn)行合理布局，減小了芯片射頻端口到天線子陣的饋電線損，提高了有源陣列天線的整體效率。測試結(jié)果表明，該陣列天線在工作頻段為24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且陣列波束掃描至±30°、±60°時(shí)的增益下降分別不超過0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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【干貨】拋開教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管
我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開關(guān)被松開了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。
2022-11-28
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基于英飛凌TC275的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)方案
電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（Eelectric Power Steering 簡稱 EPS 是一種直接依靠電機(jī)提供輔助扭矩的動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) 。它作為一種新型助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)與已有幾十年發(fā)展歷史的傳統(tǒng)液壓轉(zhuǎn)向技術(shù)相比，具有諸多優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-17
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純固態(tài)+補(bǔ)盲 車載激光雷達(dá)競爭迎來新局面
禾賽科技正式發(fā)布了面向ADAS前裝量產(chǎn)車的純固態(tài)近距補(bǔ)盲激光雷達(dá)FT120。11月7日，速騰聚創(chuàng)在其Tech Day上也發(fā)布了基于自研芯片和全新技術(shù)平臺(tái)的全固態(tài)補(bǔ)盲激光雷達(dá)RS-LiDAR-E1，也同樣面向前裝量產(chǎn)。而在更早的5月份，亮道智能就已經(jīng)率先發(fā)布了其第一代純固態(tài)側(cè)向補(bǔ)盲激光雷達(dá)產(chǎn)品LDSatellite。
2022-11-17
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況。
2022-11-16
- 800V牽引逆變器：解鎖電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
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