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電動汽車空調的一項關鍵技術——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產品。該系列具有更低的傳導損耗，有助于提高應用產品的效率并實現小型化，是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
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門極驅動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當今世界無處不在：半導體的隱藏功能，可實現廣泛應用，從家電和消費品到數據處理和無線網絡，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉換電力，從而使更多的電能流向最終應用。電源轉換的主要動力是開關：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數拓撲中，這些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出 現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系 統。更高的開關頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率 開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本 文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅動器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技術實現反并聯二極管的正確設計？
反并聯二極管的正確設計需要考慮各種因素。其中一些與自身技術相關，其它的與應用相關。但是，正向壓降Vf 、反向恢復電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構成一種三角關系。
2020-07-27
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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集成自舉二極管和快速過流保護的600V三相柵極驅動器加速了三相電機應用
三相電機運行需要三相逆變器，其一般組成為：6個功率晶體管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶體管的柵極驅動器（一個或多個）、實現控制算法（速度、轉矩控制等）的控制邏輯電路（微控制器或微處理器）。
2020-06-29
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如何實現IGBT/MOSFET隔離柵極驅動電路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件，柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對于 IGBT，它們被稱為集電極和發射極。為了操作 MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極。
2020-03-26
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MOS管和IGBT管到底區別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
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趣味解讀IGBT模塊“續流二極管”
IGBT 模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢？答：當 PWM 波輸出的時候，它是維持電機內的電流不斷用的。
2020-03-11
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還在用硅基器件做開關電源？是時候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源，基于 eGaN 開關元器件的高頻電源優勢。接著會介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級來構建適用于電池充電或服務器農場等應用的 SMPS 設計。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
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