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熱敏電阻技術全景解析：原理、應用與供應鏈戰略選擇
本文基于Yole Development 2025年傳感器市場報告及中國電子元件行業協會數據，深度剖析熱敏電阻技術演進與產業格局，為工程師提供選型決策支持。熱敏電阻（Thermistor）是電阻值隨溫度顯著變化的半導體器件。
2025-05-12
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壓敏電阻技術全解析與選型的專業指南
壓敏電阻（Varistor，Voltage Dependent Resistor）是一種電壓敏感型非線性電阻器，核心材料為氧化鋅（ZnO）陶瓷摻雜Bi?O?、Co?O?等金屬氧化物。其電阻值隨外加電壓呈指數級變化，具備雙向對稱的伏安特性，主要功能為過電壓保護。
2025-05-11
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薄膜電阻技術深度解析與產業應用指南
薄膜電阻（Thin Film Resistor）通過物理/化學氣相沉積（PVD/CVD）工藝，在陶瓷基板（Al?O?或AlN）表面形成納米級（50-250nm）金屬或合金薄膜（如NiCr、TaN）。
2025-05-10
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金屬膜電阻技術解析與產業應用指南
金屬膜電阻（Metal Film Resistor）是在高純度陶瓷基板（通常為Al?O?）表面，通過真空沉積工藝形成鎳鉻合金（NiCr）或氮化鉭（TaN）薄膜，再經激光微調達到目標阻值的精密電阻器。
2025-05-09
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DigiKey拓展創新版圖，新產品線引領行業新風潮
全球電子元器件分銷巨頭DigiKey近日宣布，正式推出自主研發的專屬產品線——DigiKey Standard，進一步深化其在工程設計與制造領域的戰略布局。該產品線聚焦工程師日常研發需求，精選涵蓋電路實驗、精密測量、線纜處理等場景的高品質工具，以“即用型解決方案”為核心，助力全球創新者提升項目開發效率。
2025-05-08
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硅光技術新突破：意法半導體PIC100開啟數據中心高能效時代
PIC100 是意法半導體的首個硅光子技術，是在300 毫米晶片上制造的以高能效為亮點的PIC（光子集成電路），每通道數據速率達到200Gbps，未來甚至有望實現更高的帶寬。事實上，此次發布意義重大，因為它開啟了一系列光子集成電路的先河， ST還計劃推出更多的后續技術，助力數據中心、人工智能服務器集群和其他光纖網絡設備提升能效。目前，許多可插拔光收發器都在使用ST的 BiCMOS B55 芯片，因此ST對市場有一定的了解。利用意法半導體的能效更高的 PIC制造技術和下一代55 納米硅鍺芯片B55X，可插拔光收發器廠商將會在市場上樹立新的能效和性能標桿，這對于推廣普及傳輸速度更快的通信標準至關重要。
2025-04-30
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車規級NFC讀卡器破局！意法半導體ST25R雙芯卡位數字鑰匙賽道
意法半導體推出ST25R系列車規級NFC讀卡器新品ST25R500/501，通過優化射頻架構實現0.5秒級超快喚醒與15cm+檢測距離，精準匹配汽車數字鑰匙、發動機啟停等高敏需求場景。兩款產品同步通過車聯網聯盟（CCC）數字鑰匙2.0及無線充電聯盟（WPC）Qi標準認證，可無縫集成至車載無線充電/NFC卡保護系統，為智能座艙提供符合AEC-Q100標準的全棧式近場通信解決方案，現已開放樣品申請。
2025-04-24
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動態存儲重構技術落地！意法半導體全球首發可編程車規MCU破解域控制器算力僵局
意法半導體推出內置xMemory的Stellar車規級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內置的新一代可改變存儲配置的存儲器，可徹底改變開發軟件定義汽車 (SDV) 和升級電動汽車平臺的艱難過程。
2025-04-17
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意法半導體監事會聲明
意法半導體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監事會對 4 月 9 日意大利媒體的報道作出三點評論。
2025-04-15
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ST 推出 STM32MP23高性價比MPU，搭載兩個Arm Cortex-A35處理器核心
意法半導體發布面向大眾市場的STM32MP23新系列通用微處理器(MPU) 。新產品的工作溫度高達 125°C，搭載兩個Arm? Cortex?-A35處理器核心，處理速度和能效俱佳，為工業和物聯網 (IoT) 邊緣計算、高級HMI人機界面和機器學習應用帶來出色的性能和強大的穩健性。
2025-04-14
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聯發科為開發者打造的調試“上帝視角”， Dimensity Profiler 工具來了
AI走入終端，需要的不只是強芯片，更要一整套能跑、能調、能落地的開發體系。在MDDC 2025現場，聯發科攜全新開發平臺震撼亮相：Neuron Studio打通AI模型開發、適配、調優全流程；Dimensity Profiler以四大調試模式助力游戲性能提升；升級至2.0版本的天璣AI開發套件則在模型深度、訓練能力及接口開放性上全面躍遷，形成支撐智能體體驗的底層能力框架。
2025-04-11
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意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。
2025-04-01
- 功率電阻從原理到選型的工程實踐指南
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