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SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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LY530AL：ST超小型GPS應(yīng)用MEMS陀螺儀
通過提供可選的模擬或數(shù)字角速率絕對值輸出，意法半導(dǎo)體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設(shè)計(jì)靈活性，簡化集成難度，并節(jié)省外部元器件。全程量可測角速率高達(dá)每秒+/-300度，在直觀人機(jī)界面或增強(qiáng)型汽車導(dǎo)航GPS等應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的全新陀螺儀可測量快速角位移。
2008-09-12
LY530AL MEMS陀螺儀
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中能打破多晶硅技術(shù)壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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中能打破多晶硅技術(shù)壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺
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