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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設計實例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設備保持正常工作。一個隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍僅約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開關S1就會關閉，而來...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉換器設計需要高效率和低IQ
由于在機箱內空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉換器設計師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設計師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設計
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢成為DSC、掌上游戲機或手機等產品的理想選擇，這些產品都極具發(fā)展前景。總之，技術與市場潛力是一個產業(yè)成長的關鍵因素。在技術上，國內OLED廠商的努力已相當受到肯定，若能進一步提升品牌效應、產品定位上的實力，必將在逐步起飛的OLED產業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來越大和動態(tài)要求的越來越嚴格，AVP控制在VRM中的應用被人們重新認識。本文對AVP控制策略的有源法和無源法進行了理論分析，并采用一種新式檢測方法實現(xiàn)AVP控制,并通過比較實驗證實了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調整模塊 降壓控制 有源法 無源法
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EMI及無Y電容手機充電器的設計
本文介紹了與EMI傳導相關的共模及差模電流產生的原理以及靜點和動點的概念，然后詳細地說明了在變壓器結構中使用補償設計以及靜點和動點的調整方法，以提高EMI的傳導性能。最后給出了相應的實驗波形和測試結果。
2008-09-29
傳導干擾 共模電流 差模電流 Y電容
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霍爾效應技術提供緊湊型電流測量傳感器
NANALEM K.K公司的HX傳感器很好地克服了傳統(tǒng)測量電流方法中的缺點，并且滿足了在成本很尺寸上的要求。HX傳感器的核心是一個霍爾效應發(fā)生器，對關鍵噪聲具有完美免疫力，在并排安裝在三相應用中時，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小。
2008-09-29
HX系列 霍爾效應 噪聲 干擾
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基于感應耦合比率臂的高精度位移測量系統(tǒng)
本文討論了比率測量方法的優(yōu)點，介紹了運用感應耦合比率臂和差動式電容位移傳感器設計的高精度微小位移測量系統(tǒng)。給出了一種實驗系統(tǒng)的設計例子和主要的測試結果，說明了該設計在小位移測量中的有效性。
2008-09-29
位移測量 感應耦合比率臂 電容傳感器 納米測量
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電源應用中場效應晶體管的崩潰效應
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉換器設計中 , 使用場效應晶體管當作切換開關已經(jīng)越來越普遍。此篇文章可帶領各位去判斷何種條件下對場效應晶體管所造成的影響 , 進而幫助設計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。
2008-09-29
場效應晶體 UIS 接合面 過壓
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電源應用中場效應晶體管的崩潰效應
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉換器設計中 , 使用場效應晶體管當作切換開關已經(jīng)越來越普遍。此篇文章可帶領各位去判斷何種條件下對場效應晶體管所造成的影響 , 進而幫助設計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。
2008-09-29
場效應晶體 UIS 接合面 過壓
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