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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) ...
2023-12-05
泰克 汽車測試 質量監控
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巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設計
多圈傳感器本質上是將磁寫入和電子讀取存儲器與傳統的磁性角度傳感器相結合，以提供高精度的絕對位置。“具有真正上電能力與零功耗的多圈位置傳感器(TPO)”中描述的磁寫入過程需要使用特定的操作窗口來維持入射磁場。如果磁場過高或過低，可能會出現磁寫入錯誤。在設計系統磁體時必須小心仔細，并考慮...
2023-12-05
巨磁阻 位置傳感器 磁體設計
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從 L1~L5 自動駕駛芯片發生了哪些變化？
汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車電動化、智能化的演進，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過了 2000 顆/輛，未來隨著電車智能化的升級，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
自動駕駛芯片 汽車
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芯原股份戴偉民：Chiplet會在AIGC和智慧駕駛領域率先落地
隨著ChatGPT的火爆，AI技術再次引發人們的關注。數據顯示，現在與AI相關的芯片占比約為20%，而到2030年這一占比將會上升至70%。這意味著，未來不管做什么芯片，多少都和AI有關系。
2023-12-04
芯原股份 Chiplet AIGC 智慧駕駛
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面向汽車應用的智能電子保險絲 提高48 V電氣系統架構安全性
由于在輕型混合動力車輛中集成了48 V電氣系統和48 V標準，因而需要重新評估過流或短路保護，因為在48 V（電源電壓）下，繼電器觸點之間的距離要求大于12 V 電壓下情形，才能熄滅保護繼電器開關時產生的電弧。這會導致延遲關斷和加速觸點磨損。
2023-11-30
電氣系統架構 汽車應用 智能電子保險絲
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電池冷卻系統對電動汽車如何重要？
傳統車輛以內燃機為基礎，靠消耗燃油驅動行駛。因此進口石油在國家經濟中占了很大比重。相比之下，以電力為能源的電動汽車不僅能支持經濟發展，還能保障國家的能源安全。隨著電動汽車的普及，了解電動汽車的功能，尤其是了解電池系統的工作原理十分重要。
2023-11-30
電池 冷卻系統 電動汽車
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碳化硅MOS/超結MOS在直流充電樁上的應用
直流充電樁是新能源汽車直流充電樁的簡稱，一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網連接，可作為非車載電動汽車的動力補充，是一種直流工作電源的電源控制裝置，可以提供充足的電量，輸出電壓和電流可以連續調節，可有效實現快速充電的要求。
2023-11-29
碳化硅MOS 超結MOS 直流充電樁
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如何設計電池充電速度快4倍的安全可穿戴設備
隨著可穿戴設備革新的持續推進，對穩健電源架構的需求不斷增加。在過去十年中，我們看到可穿戴健康監測設備大幅增長，這些設備的下一代可能會在相同的小尺寸解決方案中集成更多功能。可穿戴設備通常要求支持Wi-Fi、藍牙?并具備生命體征監測(VSM)功能。對更多功能的需求，要求系統級和IC級設計人員更...
2023-11-29
電池 充電速度快 可穿戴設備
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如何優化SiC柵級驅動電路？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有...
2023-11-29
SiC 柵級驅動
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